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L'auteur de ce sujet a trouvé une solution à son problème.

Bonjour,

Première chose, ce n'est pas le bon forum :p . Je pense que ton topic devrait se trouver dans le forum "Systèmes et Matériels" puisqu'il concerne l'électronique.

Ensuite, concernant ton problème, les documentations des composants sont toutes à peu près foutues de la même manière, notamment pour les composants dits "actifs".

En général, on a plusieurs tableau:

  • Absolute maximum ratings, ce sont les valeurs limites à ne surtout pas dépasser au risque de causer des dommages à ton composant
  • Electrical Characteristics, ce sont les valeurs "nominales" auxquelles fonctionnera ton composant en terme d'alimentation (tensions/courants), de gain, de niveau de tensions en entrées/sorties (Voltage input low ou VIL, voltage input high ou VIH, voltage output low ou VOL, voltage ouput high ou VOH), seuils de déclenchements etc.
  • Pin functions, il s'agit de la description de chacune des broches de ton composants, quand tu as un composant de 40 broches, c'est plutôt pratique :D

Il est possible qu'il y ait des tableaux supplémentaires concernant le type de boitier, le packaging de livraison, les températures à respecter, les différentes versions du circuit intégré etc.

Pour se repérer rapidement, on se fie à l'unité de la grandeur (une tension sera en mV/V, un courant en mA/A, une fréquence en Hz, une valeur de temps en ns/ms/S, une puissance en mW/W, une température en °C/°F etc.) que l'on recherche puisque la colonne UNIT est présente dans n'importe quelle documentation.

Concernant le gain de ton transistor bipolaire NPN, le hFE a 2 valeurs, 35 et 100, mais si tu regardes la colonne de gauche, tu peux voir que cette valeur va dépendre des conditions de test, ainsi:

  • Pour un VCE = 10V et IC = 0,1mA alors hFE = 35
  • Pour un VCE = 10V et IC = 150mA alors hFE = 100 à 300

Le gain d'un transistor bipolaire n'est jamais très précis et comme tu peux le voir, il arrive qu'il dépende du courant traversant le transistor. Ainsi, si ton courant est d'environ 150mA, on prendra la valeur la plus faible du hFE (100) pour calculer le régime de saturation (si le transistor fonctionne en commutation).

Pour les valeurs de VCE et VBE, il s'agit des valeurs en saturation. Lorsque ton transistor est saturé, ton VCE sera de maximum 1 Volts et ton VBE sera de maximum 2 Volts (véritablement, ils seront plutôt aux alentours des 0,7/0,8 Volts étant donné que les jonctions Base-Émetteur et Collecteur-Émetteur sont de simples jonctions PN, équivalentes à des diodes)

Pour les documentations, il n'y a pas vraiment de cours à proprement parler (du moins, je n'en ai jamais aperçu), c'est surtout une question d'habitude :)

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